广州凌控自动化科技有限公司
客户至上 诚信经营 开拓创新 求实合作 不断完善 不断创新
首 页 >> 下 载 >> 三菱 >> 选型样本 >> Q3MEM-CV-H使用手册三菱Q3MEM-CV-H选型手册(选型资料)

Q3MEM-CV-H使用手册三菱Q3MEM-CV-H选型手册(选型资料)

产品型号: Q3MEM-CV-H
产品名称: 存储卡
品牌: 三菱
类别: 选型资料选型手册
文件语言: 中文
文件大小: 22.32MB
输入输出点数:4096点。
输入输出元件数:8192点。
程序容量:40 K步。
处理速度:0.0095 μs。
程序存储器容量:160 KB。
支持USB和网络。
支持安装记忆卡。
多CPU之间提供高速通信。
缩短了固定扫描中断时间,装置化。
固定周期中断程序的小间隔缩减至100μsQ3MEM-CV-H
可准确获取高速信号,为装置的更加化作出贡献。
通过多CPU进行高速、机器控制。
通过顺控程序的直线和多CPU间高速通信(周期为0.88ms)的并列处理,实现高速控制。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步,因此可实现运算效率大化。
此外,新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍,
确保了高速、的机器控制。输入电压范围:AC100-240V。
输出电压:DC5V。
输出电源:2A。
薄型电源。
简化程序调试
可使用带执行条件的软元件测试功能,在程序上的任意步,
将软元件值更改为用户值。
以往在调试特定回路程序段时,需要追加设定软元件的程序,
而目前通过使用本功能,无需更改程序,即可使特定的回路程序段单独执行动作。
因此,不需要单独为了调试而更改程序,调试操作更简单。
自动备份关键数据
将程序和参数文件自动保存到无需使用备份电池的程序存储器(Flash ROM)中,
以防因忘记更换电池而导致程序和参数丢失。
此外,还可将软元件数据等重要数据备份到标准ROM,
以避免在长假期间等计划性停机时,
这些数据因电池电量耗尽而丢失。
下次打开电源时,备份的数据将自动恢复。
通过软元件扩展,更方便创建程序。
位软元件的M软元件和B软元件多可扩展到60K点,使程序更容易理解。更换用电池。
初始电压3.0V。
更换用大容量电池模块,不带电缆。
电流容量:18000mAh。
使用寿命:5年。
外形尺寸:98*55.2*87mm。8槽;需要1个AnS系列PLC电源模块;
用于安装大AnS系列PLC模块。
AnS系列PLC的基板底板。
QA1S系列PLC 8槽主基板。
AnS系列的模块可安装。输入点数:32点。
输入电压及电流:DC5/12V 1.2mA(DC5V)/3.3mA(DC12V)。
应答时间:1/5/10/20/70ms。
32点/1个公共端。
正/负极公端共用。
40针连接器。
通过以太网轻松连接编程工具。
编程工具(GX Works2、GX Developer)和CPU直接连接( 1对1)时,
无需进行IP地址设置。而且无需选择电缆,直通线和交叉线均可使用。
因此,这种连接方法和使用USB一样,可轻松与CPU进行通信,
即使是不熟悉网络设置的操作人员也能轻松建立连接。
具有卓越性能的各种模块,
满足从模拟量到定位的各种控制需求。
Q系列模块产品包括种类丰富的各种I/O、模拟量和定位功能模块。
可地满足开关、传感器等的输入输出,温度、重量、流量和电机、驱动器的控制,
以及要求控制的定位等各行业、各领域的控制需求。
还可与CPU模块组合使用,实现恰如其分的控制。
不断越,勇攀Q系列。
强化安全功能。
可设定长32字符的文件密码。
除了英文字母、数字以外,还可使用特殊字符,
进一步增强了密码的安全性。
此外,仅允许预先注册过的设备访问CPU,
从而拦截了非授权用户的访问。
因此可防止重要程序资产的流出,保护知识产权。
相关产品
三菱
存储卡
Q3MEM-4MBS-SET
三菱 存储卡 Q3MEM-4MBS-SET
带保护罩的记忆卡。 RAM存储器卡,容量:4M字节。 支持D存储卡。 高速通用型QCPU支
三菱
内存卡
Q3MEM-4MBS
三菱 内存卡 Q3MEM-4MBS
RAM存储器卡,容量:4M字节。 尺寸:7442.88.mm 重量:5g。 支持D存储
三菱
存储卡
Q3MEM-CV
三菱 存储卡 Q3MEM-CV
通用型Q系列CPU用存储卡保护置。 Q3MEM-4M-ETQ3MEM-8M-ET捆绑产品。
三菱
存储卡
Q3MEM-CV-H
三菱 存储卡 Q3MEM-CV-H
型CPU、过程CPU、冗余CPU用存储卡保护罩。 Q3MEM-4M-ET捆绑产品。