QD75MH4基础知识三菱QD75MH4用户手册(详细资料)

输入输出点数：4096点。
输入输出软元件点数：8192点。
程序容量：260K步。
基本运处理速度（LD指令）：1.9ns。
程序内存容量：1040KB。
外围设备连接端口：USB、以太网（通信协义支持功能）。
存储卡I/F：SD存储卡、扩展SRAM卡。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界QD75MH4
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。
支持USB和RS232。

支持安装记忆卡。

多CPU之间提供高速通信。
缩短了固定扫描中断时间，装置化。
固定周期中断程序的小间隔缩减至100μs。
可准确获取高速信号，为装置的更加化作出贡献。
通过多CPU进行高速、机器控制。
通过顺控程序的直线和多CPU间高速通信（周期为0.88ms）的并列处理，实现高速控制。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步，因此可实现运算效率大化。
此外，新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍，
确保了高速、的机器控制。输入：4通道。
热电偶(K、J、T、B、S、E、R、N、U、L、PLlI、W5Re/W26Re)。
加热器断线检测功能。
采样周期：0.5s/4 通道。
18点端子台x2 。
尖峰电流功能。
可防止同时打开输出以控制尖峰电流，有助于节能及降低运行成本。
同时升温功能。
使多个回路同时达到设置值，以进行均匀的温度控制，
有助于防止空载并有效节能及降低运行成本。
自动调整功能。
可在控制过程中自动调节PID常数。
可降低自动调整成本（时间、材料和电能）。
可灵活进行各种设置，实现佳温度控制的温度调节模块。
针对挤压成型机等温度控制稳定性要求高的设备，
温度调节模块具有防过热和防过冷的功能。
可根据控制对象设备，选择标准控制（加热或冷却）或加热冷却控制（加热和冷却）模式。
此外，也可选择混合控制模式（结合了标准控制和加热-冷却控制）。