三菱Q100UDEHCPU编程指南手册(结构化文本(ST))

更换用电池。
初始电压3.0V。
电流容量：5000mAh。
使用寿命：5年。3槽。
主基板需要配CPU和电源。
需要1个电源模块。
用于安装Q系列模块。
具有卓越性能的各种模块,
满足从模拟量到定位的各种控制需求。
Q系列模块产品包括种类丰富的各种I/O、模拟量和定位功能模块。
可地满足开关、传感器等的输入输出，温度、重量、流量和电机、驱动器的控制，
以及要求控制的定位等各行业、各领域的控制需求Q100UDEHCPU
还可与CPU模块组合使用，实现恰如其分的控制。输入输出点数：4096点。
输入输出元件数：8192点。
程序容量：28 k步。
处理速度：34ns。
程序存储器容量：144 KB。
内置RS232通信口。
支持安装记忆卡。
仅用于A模式。
提升基本性能。
CPU的内置软元件存储器容量增加到多60K字。
对增大的控制、质量管理数据也可高速处理。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。程序容量：124 K步。
输入输出点数：4096点。
输入输出元件数：8192点。
处理速度：0.034μs。
程序存储器容量：496 KB。
支持USB和RS232。
CPU模块扩展标准RAM（大8MB）。
可与SD存储卡同时使用。
可连续访问文件寄存器。
高速处理，生产时间缩短，更好的性能。
随着应用程序变得更大更复杂，缩短系统运行周期时间是非常必要的。
通过高的基本运算处理速度1.9ns，可缩短运行周期。
除了可以实现以往与单片机控制相联系的高速控制以外，
还可通过减少总扫描时间，提高系统性能，
防止任何可能出现的性能偏差。输出：8通道。
输入（分辨率）：0~4000；-4000~4000；0~12000；-12000~12000；-16000~16000。
输出：DC-10~10V。
转换速度：80μs/1通道。
18点端子台。
电源与输出之间变压器隔离。
高缘强度耐压。
可隔离电气干扰，例如电流和噪音等。
标准型模拟量输入模块。
隔离型模拟量输入模块。
无需外部隔离放大器。
不使用通道间隔离型模拟量模块时。
使用了通道间隔离型模拟量模块时。
以智能功能拓展控制的可能性。
提供各种模拟量模块，是应用于过程控制应用的理想选择。
也可满足高速、控制需求。
适合用于要求高速转换控制领域的模拟量模块。
可提供多种模数和数模转换模块产品。
这些模块功能多样，在连接设备时，实现了大的灵活性。
可满足变频器控制等高速转换需求。
具有卓越性能的各种模块,
满足从模拟量到定位的各种控制需求。
Q系列模块产品包括种类丰富的各种I/O、模拟量和定位功能模块。
可地满足开关、传感器等的输入输出，温度、重量、流量和电机、驱动器的控制，
以及要求控制的定位等各行业、各领域的控制需求。
还可与CPU模块组合使用，实现恰如其分的控制。