Q80BD-J61BT11N技术说明三菱Q80BD-J61BT11N用户手册

SRAM存储器卡；容量：4M字节。
支持SD存储卡。
高速通用型QCPU支持SD存储卡，
从而能够与有SD存储卡插口的PC之间轻松地实现数据交换。
另外、可同时使用SD存储卡和扩展SRAM卡。
因此，可利用扩展SRAM卡扩展文件寄存器，
可利用SD存储卡同时进行数据文件记录、大量注释数据保存、通过存储卡进行引导运行Q80BD-J61BT11N
只需插入SD存储卡，即可自动记录。
只需在CPU中插入保存了记录设定文件的SD存储卡，即可自动开始记录。
即使在需要进行远程数据收集时，
通过邮件接收记录设定文件并将其到SD存储卡中后，
即可立即开始记录。
更好的用户体验数据记录功能。
记录方便，无需程序。
只需通过专门的配置工具向导轻松完成设置，
便可将收集的数据以CSV格式保存到SD存储卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地创建各种参考资料，
包括日常报告、生成报表及一般报告。
这些资料可应用于启动时的数据分析、追溯等。
毫无遗漏地记录控制数据的变动
可在每次顺序扫描期间或者在毫秒时间间隔内收集数据，
毫无遗漏地记录的控制数据的变动。
因此，在发生故障时，可快速确定原因，进行的动作分析。输入：4通道。
热电偶(K、J、T、B、S、E、R、N、U、L、PLlI、W5Re/W26Re)。
加热器断线检测功能。
采样周期：0.5s/4通道。
18点端子台x2。
可灵活进行各种设置，实现佳温度控制的温度调节模块。
针对挤压成型机等温度控制稳定性要求高的设备，
温度调节模块具有防过热和防过冷的功能。
可根据控制对象设备，选择标准控制（加热或冷却）或加热冷却控制（加热和冷却）模式。
此外，也可选择混合控制模式（结合了标准控制和加热-冷却控制）。
尖峰电流功能。
可防止同时打开输出以控制尖峰电流，有助于节能及降低运行成本。
同时升温功能。
使多个回路同时达到设置值，以进行均匀的温度控制，
有助于防止空载并有效节能及降低运行成本。
自动调整功能。
可在控制过程中自动调节PID常数。
可降低自动调整成本（时间、材料和电能）。串行ABS同步编码器输入可使用台数：2台/个模块。
位置检测方式：编对值（ABS）方式。
传输方式：串行通信。
允许跟踪目标输入点数：2点。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。