Q170ENCCBL30M-A使用案例三菱Q170ENCCBL30M-AEMC

容量：16M字节。
更好的用户体验数据记录功能。
记录方便，无需程序。
只需通过专门的配置工具向导轻松完成设置，
便可将收集的数据以CSV格式保存到SD存储卡。
可有效利用已保存的CSV文件方便地创建各种参考资料，
包括日常报告、生成报表及一般报告。
这些资料可应用于启动时的数据分析、追溯等。
只需插入SD存储卡，即可自动记录Q170ENCCBL30M-A
只需在CPU中插入保存了记录设定文件的SD存储卡，即可自动开始记录。
即使在需要进行远程数据收集时，
通过邮件接收记录设定文件并将其到SD存储卡中后，
即可立即开始记录。测量项目：漏电流（Io）、阻性漏电流（Ior）。
测量电路数：2个电路。
测量泄漏电流的缘监视模块。
可对漏电流进行测量，以确保安全通过监视漏电流（Io），可检测出触电危险。
可连续不间断地监视设备的缘状态 测量阻性漏电流（Ior），
以便不间断地监视设备的缘老化状况。
可对每个测量项目进行2阶段的报视可分别对漏电流（ Io）、阻性漏电流（Ior）进行2阶段的报视，
无需梯形图程序。报视分为注意报警和危险报警2阶段。
一个模块可测量两个电路 一个模块可对同一系统中相同相线式电源的两个电路进行测量。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版或更高版本），轻松地设置参数。
［测量项目］漏电流（ Io）、阻性漏电流（ Ior）。输入输出点数：4096点。
输入输出软元件点数：8192点。
程序容量：260K步。
基本运处理速度（LD指令）：1.9ns。
程序内存容量：1040KB。
外围设备连接端口：USB、以太网（通信协义支持功能）。
存储卡I/F：SD存储卡、扩展SRAM卡。
方便处理大容量数据。
以往无法实现标准RAM和SRAM卡文件寄存器区域的连续存取，
在编程时需要考虑各区域的边界。
在高速通用型QCPU中安装了8MB SRAM扩展卡，
可将标准RAM作为一个连续的文件寄存器，
容量多可达4736K字，从而简化了编程。
因此，即使软元件存储器空间不足，
也可通过安装扩展SRAM卡，方便地扩展文件寄存器区域。
变址寄存器扩展到了32位，从而使编程也可越了传统的32K字，
并实现变址修饰扩展到文件寄存器的所有区域。
另外，变址修饰的处理速度对结构化数据（阵列）的运算起着重要作用，
该速度现已得到提高。
当变址修饰用于反复处理程序（例如从FOR到NEXT的指令等）中时，可缩短扫描时间。
支持USB和RS232。

支持安装记忆卡。

多CPU之间提供高速通信。
缩短了固定扫描中断时间，装置化。
固定周期中断程序的小间隔缩减至100μs。
可准确获取高速信号，为装置的更加化作出贡献。
通过多CPU进行高速、机器控制。
通过顺控程序的直线和多CPU间高速通信（周期为0.88ms）的并列处理，实现高速控制。
多CPU间高速通信周期与运动控制同步，因此可实现运算效率大化。
此外，新的运动控制CPU在性能上是先前型号的2倍，
确保了高速、的机器控制。